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晶圓激光標(biāo)記應(yīng)用
借助激光非接觸式加工工藝，保證晶圓在不造成額外損壞的情況下，在晶圓上進(jìn)行穩(wěn)定、清晰的標(biāo)記，同時(shí)二維碼讀取識(shí)別率高，實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)流程可追溯。
晶圓芯片內(nèi)部改質(zhì)切割應(yīng)用
針對(duì)晶圓激光內(nèi)部改質(zhì)切割，定制波長(zhǎng)光源可在不損傷表面的情況下，改質(zhì)切割8吋及以上高端、窄切割溝道硅基半導(dǎo)體晶圓芯片，如硅麥芯片、MEMS傳感器芯片、CMOS芯片等。
晶圓激光開(kāi)槽應(yīng)用
利用超短脈沖激光加工Low-K晶圓，能夠有效減小崩邊脫層和熱影響，提高開(kāi)槽效率，適用范圍可拓展至背金硅晶圓、硅基氮化鎵晶圓、鉭酸鋰晶圓以及氮化鎵晶圓切割等。
晶圓劃片應(yīng)用
半導(dǎo)體行業(yè)中，晶圓越來(lái)越向輕薄化和大尺寸方向發(fā)展，激光加工已替代傳統(tǒng)切割方式，利用超快紫外激光進(jìn)行表面燒蝕切割，其激光聚焦光斑小、熱影響小、切割效率高，廣泛應(yīng)用于硅基和化合物半導(dǎo)體晶圓的切割。
半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)應(yīng)用
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中眾多環(huán)節(jié)都需要檢測(cè)把關(guān)，從半導(dǎo)體原片、外延片的尺寸和平面度，到外觀宏觀缺陷，再到半導(dǎo)體有圖形晶圓、晶粒的微觀缺陷，都需要在生產(chǎn)過(guò)程和出廠時(shí)進(jìn)行視覺(jué)檢測(cè)和質(zhì)量控制。
